SI7621DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4A 1212-8 PPAK
Artikelnummer
SI7621DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 12.5W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.2nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20946 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7621DN-T1-GE3
SI7621DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7621DN-T1-GE3 Försäljning
SI7621DN-T1-GE3 Leverantör
SI7621DN-T1-GE3 Distributör
SI7621DN-T1-GE3 Datatabell
SI7621DN-T1-GE3 Foton
SI7621DN-T1-GE3 Pris
SI7621DN-T1-GE3 Erbjudande
SI7621DN-T1-GE3 Lägsta pris
SI7621DN-T1-GE3 Sök
SI7621DN-T1-GE3 Köp av
SI7621DN-T1-GE3 Chip