SI7601DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Artikelnummer
SI7601DN-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1870pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12440 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7601DN-T1-E3
SI7601DN-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI7601DN-T1-E3 Försäljning
SI7601DN-T1-E3 Leverantör
SI7601DN-T1-E3 Distributör
SI7601DN-T1-E3 Datatabell
SI7601DN-T1-E3 Foton
SI7601DN-T1-E3 Pris
SI7601DN-T1-E3 Erbjudande
SI7601DN-T1-E3 Lägsta pris
SI7601DN-T1-E3 Sök
SI7601DN-T1-E3 Köp av
SI7601DN-T1-E3 Chip