SI7501DN-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Artikelnummer
SI7501DN-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8 Dual
Effekt - Max
1.6W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8 Dual
FET typ
N and P-Channel, Common Drain
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.4A, 4.5A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 7.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37752 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7501DN-T1-E3
SI7501DN-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI7501DN-T1-E3 Försäljning
SI7501DN-T1-E3 Leverantör
SI7501DN-T1-E3 Distributör
SI7501DN-T1-E3 Datatabell
SI7501DN-T1-E3 Foton
SI7501DN-T1-E3 Pris
SI7501DN-T1-E3 Erbjudande
SI7501DN-T1-E3 Lägsta pris
SI7501DN-T1-E3 Sök
SI7501DN-T1-E3 Köp av
SI7501DN-T1-E3 Chip