SI7172ADP-T1-RE3
MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8
Artikelnummer
SI7172ADP-T1-RE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 125°C
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
-
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
7.5V, 10V
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17040 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7172ADP-T1-RE3
SI7172ADP-T1-RE3 Elektroniska komponenter
SI7172ADP-T1-RE3 Försäljning
SI7172ADP-T1-RE3 Leverantör
SI7172ADP-T1-RE3 Distributör
SI7172ADP-T1-RE3 Datatabell
SI7172ADP-T1-RE3 Foton
SI7172ADP-T1-RE3 Pris
SI7172ADP-T1-RE3 Erbjudande
SI7172ADP-T1-RE3 Lägsta pris
SI7172ADP-T1-RE3 Sök
SI7172ADP-T1-RE3 Köp av
SI7172ADP-T1-RE3 Chip