SI7100DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8
Artikelnummer
SI7100DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3810pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36095 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7100DN-T1-GE3
SI7100DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7100DN-T1-GE3 Försäljning
SI7100DN-T1-GE3 Leverantör
SI7100DN-T1-GE3 Distributör
SI7100DN-T1-GE3 Datatabell
SI7100DN-T1-GE3 Foton
SI7100DN-T1-GE3 Pris
SI7100DN-T1-GE3 Erbjudande
SI7100DN-T1-GE3 Lägsta pris
SI7100DN-T1-GE3 Sök
SI7100DN-T1-GE3 Köp av
SI7100DN-T1-GE3 Chip