SI7110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8
Artikelnummer
SI7110DN-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.3 mOhm @ 21.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31476 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7110DN-T1-GE3
SI7110DN-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7110DN-T1-GE3 Försäljning
SI7110DN-T1-GE3 Leverantör
SI7110DN-T1-GE3 Distributör
SI7110DN-T1-GE3 Datatabell
SI7110DN-T1-GE3 Foton
SI7110DN-T1-GE3 Pris
SI7110DN-T1-GE3 Erbjudande
SI7110DN-T1-GE3 Lägsta pris
SI7110DN-T1-GE3 Sök
SI7110DN-T1-GE3 Köp av
SI7110DN-T1-GE3 Chip