SI7107DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
Artikelnummer
SI7107DN-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
1.5W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 450µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32933 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI7107DN-T1-E3
SI7107DN-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI7107DN-T1-E3 Försäljning
SI7107DN-T1-E3 Leverantör
SI7107DN-T1-E3 Distributör
SI7107DN-T1-E3 Datatabell
SI7107DN-T1-E3 Foton
SI7107DN-T1-E3 Pris
SI7107DN-T1-E3 Erbjudande
SI7107DN-T1-E3 Lägsta pris
SI7107DN-T1-E3 Sök
SI7107DN-T1-E3 Köp av
SI7107DN-T1-E3 Chip