SI4966DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Artikelnummer
SI4966DY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28559 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4966DY-T1-E3
SI4966DY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI4966DY-T1-E3 Försäljning
SI4966DY-T1-E3 Leverantör
SI4966DY-T1-E3 Distributör
SI4966DY-T1-E3 Datatabell
SI4966DY-T1-E3 Foton
SI4966DY-T1-E3 Pris
SI4966DY-T1-E3 Erbjudande
SI4966DY-T1-E3 Lägsta pris
SI4966DY-T1-E3 Sök
SI4966DY-T1-E3 Köp av
SI4966DY-T1-E3 Chip