SI4900DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4900DY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
3.1W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
58 mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
665pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40006 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4900DY-T1-E3
SI4900DY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI4900DY-T1-E3 Försäljning
SI4900DY-T1-E3 Leverantör
SI4900DY-T1-E3 Distributör
SI4900DY-T1-E3 Datatabell
SI4900DY-T1-E3 Foton
SI4900DY-T1-E3 Pris
SI4900DY-T1-E3 Erbjudande
SI4900DY-T1-E3 Lägsta pris
SI4900DY-T1-E3 Sök
SI4900DY-T1-E3 Köp av
SI4900DY-T1-E3 Chip