SI4963BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
Artikelnummer
SI4963BDY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
1.1W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 P-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.9A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16203 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4963BDY-T1-GE3
SI4963BDY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI4963BDY-T1-GE3 Försäljning
SI4963BDY-T1-GE3 Leverantör
SI4963BDY-T1-GE3 Distributör
SI4963BDY-T1-GE3 Datatabell
SI4963BDY-T1-GE3 Foton
SI4963BDY-T1-GE3 Pris
SI4963BDY-T1-GE3 Erbjudande
SI4963BDY-T1-GE3 Lägsta pris
SI4963BDY-T1-GE3 Sök
SI4963BDY-T1-GE3 Köp av
SI4963BDY-T1-GE3 Chip