SI4936CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4936CDY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
2.3W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.8A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44351 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI4936CDY-T1-GE3 Försäljning
SI4936CDY-T1-GE3 Leverantör
SI4936CDY-T1-GE3 Distributör
SI4936CDY-T1-GE3 Datatabell
SI4936CDY-T1-GE3 Foton
SI4936CDY-T1-GE3 Pris
SI4936CDY-T1-GE3 Erbjudande
SI4936CDY-T1-GE3 Lägsta pris
SI4936CDY-T1-GE3 Sök
SI4936CDY-T1-GE3 Köp av
SI4936CDY-T1-GE3 Chip