SI4866BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4866BDY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5020pF @ 6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54622 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4866BDY-T1-E3
SI4866BDY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI4866BDY-T1-E3 Försäljning
SI4866BDY-T1-E3 Leverantör
SI4866BDY-T1-E3 Distributör
SI4866BDY-T1-E3 Datatabell
SI4866BDY-T1-E3 Foton
SI4866BDY-T1-E3 Pris
SI4866BDY-T1-E3 Erbjudande
SI4866BDY-T1-E3 Lägsta pris
SI4866BDY-T1-E3 Sök
SI4866BDY-T1-E3 Köp av
SI4866BDY-T1-E3 Chip