SI4800BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4800BDY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7059 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI4800BDY-T1-E3 Försäljning
SI4800BDY-T1-E3 Leverantör
SI4800BDY-T1-E3 Distributör
SI4800BDY-T1-E3 Datatabell
SI4800BDY-T1-E3 Foton
SI4800BDY-T1-E3 Pris
SI4800BDY-T1-E3 Erbjudande
SI4800BDY-T1-E3 Lägsta pris
SI4800BDY-T1-E3 Sök
SI4800BDY-T1-E3 Köp av
SI4800BDY-T1-E3 Chip