SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
Artikelnummer
SI4196DY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2W (Ta), 4.6W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
830pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46706 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4196DY-T1-E3
SI4196DY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI4196DY-T1-E3 Försäljning
SI4196DY-T1-E3 Leverantör
SI4196DY-T1-E3 Distributör
SI4196DY-T1-E3 Datatabell
SI4196DY-T1-E3 Foton
SI4196DY-T1-E3 Pris
SI4196DY-T1-E3 Erbjudande
SI4196DY-T1-E3 Lägsta pris
SI4196DY-T1-E3 Sök
SI4196DY-T1-E3 Köp av
SI4196DY-T1-E3 Chip