SI4100DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4100DY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 6W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
63 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40568 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4100DY-T1-GE3
SI4100DY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI4100DY-T1-GE3 Försäljning
SI4100DY-T1-GE3 Leverantör
SI4100DY-T1-GE3 Distributör
SI4100DY-T1-GE3 Datatabell
SI4100DY-T1-GE3 Foton
SI4100DY-T1-GE3 Pris
SI4100DY-T1-GE3 Erbjudande
SI4100DY-T1-GE3 Lägsta pris
SI4100DY-T1-GE3 Sök
SI4100DY-T1-GE3 Köp av
SI4100DY-T1-GE3 Chip