SI3900DV-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP
Artikelnummer
SI3900DV-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Effekt - Max
830mW
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42738 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3900DV-T1-GE3
SI3900DV-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI3900DV-T1-GE3 Försäljning
SI3900DV-T1-GE3 Leverantör
SI3900DV-T1-GE3 Distributör
SI3900DV-T1-GE3 Datatabell
SI3900DV-T1-GE3 Foton
SI3900DV-T1-GE3 Pris
SI3900DV-T1-GE3 Erbjudande
SI3900DV-T1-GE3 Lägsta pris
SI3900DV-T1-GE3 Sök
SI3900DV-T1-GE3 Köp av
SI3900DV-T1-GE3 Chip