SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Artikelnummer
SI3590DV-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Effekt - Max
830mW
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A, 1.7A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
77 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33222 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3590DV-T1-E3
SI3590DV-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI3590DV-T1-E3 Försäljning
SI3590DV-T1-E3 Leverantör
SI3590DV-T1-E3 Distributör
SI3590DV-T1-E3 Datatabell
SI3590DV-T1-E3 Foton
SI3590DV-T1-E3 Pris
SI3590DV-T1-E3 Erbjudande
SI3590DV-T1-E3 Lägsta pris
SI3590DV-T1-E3 Sök
SI3590DV-T1-E3 Köp av
SI3590DV-T1-E3 Chip