SI3529DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
Artikelnummer
SI3529DV-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Effekt - Max
1.4W
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A, 1.95A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
205pF @ 20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41565 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3529DV-T1-GE3
SI3529DV-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI3529DV-T1-GE3 Försäljning
SI3529DV-T1-GE3 Leverantör
SI3529DV-T1-GE3 Distributör
SI3529DV-T1-GE3 Datatabell
SI3529DV-T1-GE3 Foton
SI3529DV-T1-GE3 Pris
SI3529DV-T1-GE3 Erbjudande
SI3529DV-T1-GE3 Lägsta pris
SI3529DV-T1-GE3 Sök
SI3529DV-T1-GE3 Köp av
SI3529DV-T1-GE3 Chip