SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 60V TSOP6S
Artikelnummer
SI3127DV-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Leverantörsenhetspaket
6-TSOP
Effektförlust (max)
2W (Ta), 4.2W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.5A (Ta), 13A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
89 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
833pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54729 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI3127DV-T1-GE3
SI3127DV-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI3127DV-T1-GE3 Försäljning
SI3127DV-T1-GE3 Leverantör
SI3127DV-T1-GE3 Distributör
SI3127DV-T1-GE3 Datatabell
SI3127DV-T1-GE3 Foton
SI3127DV-T1-GE3 Pris
SI3127DV-T1-GE3 Erbjudande
SI3127DV-T1-GE3 Lägsta pris
SI3127DV-T1-GE3 Sök
SI3127DV-T1-GE3 Köp av
SI3127DV-T1-GE3 Chip