SI2399DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A SOT-23
Artikelnummer
SI2399DS-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
2.5W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
835pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34576 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2399DS-T1-GE3
SI2399DS-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI2399DS-T1-GE3 Försäljning
SI2399DS-T1-GE3 Leverantör
SI2399DS-T1-GE3 Distributör
SI2399DS-T1-GE3 Datatabell
SI2399DS-T1-GE3 Foton
SI2399DS-T1-GE3 Pris
SI2399DS-T1-GE3 Erbjudande
SI2399DS-T1-GE3 Lägsta pris
SI2399DS-T1-GE3 Sök
SI2399DS-T1-GE3 Köp av
SI2399DS-T1-GE3 Chip