SI2300-TP
N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
Artikelnummer
SI2300-TP
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23
Effektförlust (max)
1W
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
482pF @ 10V
Vgs (max)
±10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28554 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2300-TP
SI2300-TP Elektroniska komponenter
SI2300-TP Försäljning
SI2300-TP Leverantör
SI2300-TP Distributör
SI2300-TP Datatabell
SI2300-TP Foton
SI2300-TP Pris
SI2300-TP Erbjudande
SI2300-TP Lägsta pris
SI2300-TP Sök
SI2300-TP Köp av
SI2300-TP Chip