SI2356DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
Artikelnummer
SI2356DS-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
TO-236
Effektförlust (max)
960mW (Ta), 1.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
51 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
370pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15584 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2356DS-T1-GE3
SI2356DS-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI2356DS-T1-GE3 Försäljning
SI2356DS-T1-GE3 Leverantör
SI2356DS-T1-GE3 Distributör
SI2356DS-T1-GE3 Datatabell
SI2356DS-T1-GE3 Foton
SI2356DS-T1-GE3 Pris
SI2356DS-T1-GE3 Erbjudande
SI2356DS-T1-GE3 Lägsta pris
SI2356DS-T1-GE3 Sök
SI2356DS-T1-GE3 Köp av
SI2356DS-T1-GE3 Chip