SI2351DS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Artikelnummer
SI2351DS-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
1W (Ta), 2.1W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28467 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2351DS-T1-E3
SI2351DS-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI2351DS-T1-E3 Försäljning
SI2351DS-T1-E3 Leverantör
SI2351DS-T1-E3 Distributör
SI2351DS-T1-E3 Datatabell
SI2351DS-T1-E3 Foton
SI2351DS-T1-E3 Pris
SI2351DS-T1-E3 Erbjudande
SI2351DS-T1-E3 Lägsta pris
SI2351DS-T1-E3 Sök
SI2351DS-T1-E3 Köp av
SI2351DS-T1-E3 Chip