SI2323DS-T1
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Artikelnummer
SI2323DS-T1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
750mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5904 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2323DS-T1
SI2323DS-T1 Elektroniska komponenter
SI2323DS-T1 Försäljning
SI2323DS-T1 Leverantör
SI2323DS-T1 Distributör
SI2323DS-T1 Datatabell
SI2323DS-T1 Foton
SI2323DS-T1 Pris
SI2323DS-T1 Erbjudande
SI2323DS-T1 Lägsta pris
SI2323DS-T1 Sök
SI2323DS-T1 Köp av
SI2323DS-T1 Chip