SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Artikelnummer
SI2309CDS-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
1W (Ta), 1.7W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
345 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.1nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
210pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49260 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2309CDS-T1-GE3
SI2309CDS-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI2309CDS-T1-GE3 Försäljning
SI2309CDS-T1-GE3 Leverantör
SI2309CDS-T1-GE3 Distributör
SI2309CDS-T1-GE3 Datatabell
SI2309CDS-T1-GE3 Foton
SI2309CDS-T1-GE3 Pris
SI2309CDS-T1-GE3 Erbjudande
SI2309CDS-T1-GE3 Lägsta pris
SI2309CDS-T1-GE3 Sök
SI2309CDS-T1-GE3 Köp av
SI2309CDS-T1-GE3 Chip