SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23
Artikelnummer
SI2304DDS-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.7nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
235pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10510 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2304DDS-T1-GE3
SI2304DDS-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI2304DDS-T1-GE3 Försäljning
SI2304DDS-T1-GE3 Leverantör
SI2304DDS-T1-GE3 Distributör
SI2304DDS-T1-GE3 Datatabell
SI2304DDS-T1-GE3 Foton
SI2304DDS-T1-GE3 Pris
SI2304DDS-T1-GE3 Erbjudande
SI2304DDS-T1-GE3 Lägsta pris
SI2304DDS-T1-GE3 Sök
SI2304DDS-T1-GE3 Köp av
SI2304DDS-T1-GE3 Chip