SI2302ADS-T1
MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
Artikelnummer
SI2302ADS-T1
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
700mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.1A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 50µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39454 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2302ADS-T1
SI2302ADS-T1 Elektroniska komponenter
SI2302ADS-T1 Försäljning
SI2302ADS-T1 Leverantör
SI2302ADS-T1 Distributör
SI2302ADS-T1 Datatabell
SI2302ADS-T1 Foton
SI2302ADS-T1 Pris
SI2302ADS-T1 Erbjudande
SI2302ADS-T1 Lägsta pris
SI2302ADS-T1 Sök
SI2302ADS-T1 Köp av
SI2302ADS-T1 Chip