SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Artikelnummer
SI2301CDS-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Leverantörsenhetspaket
SOT-23-3 (TO-236)
Effektförlust (max)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
405pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 32344 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI2301CDS-T1-E3
SI2301CDS-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI2301CDS-T1-E3 Försäljning
SI2301CDS-T1-E3 Leverantör
SI2301CDS-T1-E3 Distributör
SI2301CDS-T1-E3 Datatabell
SI2301CDS-T1-E3 Foton
SI2301CDS-T1-E3 Pris
SI2301CDS-T1-E3 Erbjudande
SI2301CDS-T1-E3 Lägsta pris
SI2301CDS-T1-E3 Sök
SI2301CDS-T1-E3 Köp av
SI2301CDS-T1-E3 Chip