Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI1330EDL-T1-E3

SI1330EDL-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323-3
Artikelnummer
SI1330EDL-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-70, SOT-323
Leverantörsenhetspaket
SC-70-3
Effektförlust (max)
280mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
240mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
3V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20120 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SI1330EDL-T1-E3
SI1330EDL-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI1330EDL-T1-E3 Försäljning
SI1330EDL-T1-E3 Leverantör
SI1330EDL-T1-E3 Distributör
SI1330EDL-T1-E3 Datatabell
SI1330EDL-T1-E3 Foton
SI1330EDL-T1-E3 Pris
SI1330EDL-T1-E3 Erbjudande
SI1330EDL-T1-E3 Lägsta pris
SI1330EDL-T1-E3 Sök
SI1330EDL-T1-E3 Köp av
SI1330EDL-T1-E3 Chip