SI1300BDL-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 400MA SOT323-3
Artikelnummer
SI1300BDL-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-70, SOT-323
Leverantörsenhetspaket
SC-70-3
Effektförlust (max)
190mW (Ta), 200mW (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 250mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.84nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
35pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33851 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1300BDL-T1-E3
SI1300BDL-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI1300BDL-T1-E3 Försäljning
SI1300BDL-T1-E3 Leverantör
SI1300BDL-T1-E3 Distributör
SI1300BDL-T1-E3 Datatabell
SI1300BDL-T1-E3 Foton
SI1300BDL-T1-E3 Pris
SI1300BDL-T1-E3 Erbjudande
SI1300BDL-T1-E3 Lägsta pris
SI1300BDL-T1-E3 Sök
SI1300BDL-T1-E3 Köp av
SI1300BDL-T1-E3 Chip