Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI1317DL-T1-GE3

SI1317DL-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
Artikelnummer
SI1317DL-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-70, SOT-323
Leverantörsenhetspaket
SOT-323
Effektförlust (max)
500mW (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
272pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18480 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SI1317DL-T1-GE3
SI1317DL-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1317DL-T1-GE3 Försäljning
SI1317DL-T1-GE3 Leverantör
SI1317DL-T1-GE3 Distributör
SI1317DL-T1-GE3 Datatabell
SI1317DL-T1-GE3 Foton
SI1317DL-T1-GE3 Pris
SI1317DL-T1-GE3 Erbjudande
SI1317DL-T1-GE3 Lägsta pris
SI1317DL-T1-GE3 Sök
SI1317DL-T1-GE3 Köp av
SI1317DL-T1-GE3 Chip