Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI1304BDL-T1-GE3

SI1304BDL-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 0.9A SC-70-3
Artikelnummer
SI1304BDL-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-70, SOT-323
Leverantörsenhetspaket
SC-70-3
Effektförlust (max)
340mW (Ta), 370mW (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
900mA (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 900mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
100pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44927 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SI1304BDL-T1-GE3
SI1304BDL-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1304BDL-T1-GE3 Försäljning
SI1304BDL-T1-GE3 Leverantör
SI1304BDL-T1-GE3 Distributör
SI1304BDL-T1-GE3 Datatabell
SI1304BDL-T1-GE3 Foton
SI1304BDL-T1-GE3 Pris
SI1304BDL-T1-GE3 Erbjudande
SI1304BDL-T1-GE3 Lägsta pris
SI1304BDL-T1-GE3 Sök
SI1304BDL-T1-GE3 Köp av
SI1304BDL-T1-GE3 Chip