SI1065X-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
Artikelnummer
SI1065X-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-563, SOT-666
Leverantörsenhetspaket
SC-89-6
Effektförlust (max)
236mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
156 mOhm @ 1.18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
10.8nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9769 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1065X-T1-E3
SI1065X-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI1065X-T1-E3 Försäljning
SI1065X-T1-E3 Leverantör
SI1065X-T1-E3 Distributör
SI1065X-T1-E3 Datatabell
SI1065X-T1-E3 Foton
SI1065X-T1-E3 Pris
SI1065X-T1-E3 Erbjudande
SI1065X-T1-E3 Lägsta pris
SI1065X-T1-E3 Sök
SI1065X-T1-E3 Köp av
SI1065X-T1-E3 Chip