SI1002R-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 610MA SC75A
Artikelnummer
SI1002R-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-75A
Leverantörsenhetspaket
SC-75A
Effektförlust (max)
220mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
610mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
560 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
36pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53265 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1002R-T1-GE3
SI1002R-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1002R-T1-GE3 Försäljning
SI1002R-T1-GE3 Leverantör
SI1002R-T1-GE3 Distributör
SI1002R-T1-GE3 Datatabell
SI1002R-T1-GE3 Foton
SI1002R-T1-GE3 Pris
SI1002R-T1-GE3 Erbjudande
SI1002R-T1-GE3 Lägsta pris
SI1002R-T1-GE3 Sök
SI1002R-T1-GE3 Köp av
SI1002R-T1-GE3 Chip