SI1051X-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6
Artikelnummer
SI1051X-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-563, SOT-666
Leverantörsenhetspaket
SC-89-6
Effektförlust (max)
236mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
122 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.45nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8814 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1051X-T1-GE3
SI1051X-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1051X-T1-GE3 Försäljning
SI1051X-T1-GE3 Leverantör
SI1051X-T1-GE3 Distributör
SI1051X-T1-GE3 Datatabell
SI1051X-T1-GE3 Foton
SI1051X-T1-GE3 Pris
SI1051X-T1-GE3 Erbjudande
SI1051X-T1-GE3 Lägsta pris
SI1051X-T1-GE3 Sök
SI1051X-T1-GE3 Köp av
SI1051X-T1-GE3 Chip