SI1050X-T1-E3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F
Artikelnummer
SI1050X-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-563, SOT-666
Leverantörsenhetspaket
SC-89-6
Effektförlust (max)
236mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.34A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
585pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49979 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1050X-T1-E3
SI1050X-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI1050X-T1-E3 Försäljning
SI1050X-T1-E3 Leverantör
SI1050X-T1-E3 Distributör
SI1050X-T1-E3 Datatabell
SI1050X-T1-E3 Foton
SI1050X-T1-E3 Pris
SI1050X-T1-E3 Erbjudande
SI1050X-T1-E3 Lägsta pris
SI1050X-T1-E3 Sök
SI1050X-T1-E3 Köp av
SI1050X-T1-E3 Chip