SI1035X-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V SC-89
Artikelnummer
SI1035X-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-563, SOT-666
Effekt - Max
250mW
Leverantörsenhetspaket
SC-89-6
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180mA, 145mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
400mV @ 250µA (Min)
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29796 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1035X-T1-GE3
SI1035X-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI1035X-T1-GE3 Försäljning
SI1035X-T1-GE3 Leverantör
SI1035X-T1-GE3 Distributör
SI1035X-T1-GE3 Datatabell
SI1035X-T1-GE3 Foton
SI1035X-T1-GE3 Pris
SI1035X-T1-GE3 Erbjudande
SI1035X-T1-GE3 Lägsta pris
SI1035X-T1-GE3 Sök
SI1035X-T1-GE3 Köp av
SI1035X-T1-GE3 Chip