SI1029X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 60V SOT563F
Artikelnummer
SI1029X-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SOT-563, SOT-666
Effekt - Max
250mW
Leverantörsenhetspaket
SC-89-6
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
305mA, 190mA
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
0.75nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
30pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34369 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1029X-T1-E3
SI1029X-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI1029X-T1-E3 Försäljning
SI1029X-T1-E3 Leverantör
SI1029X-T1-E3 Distributör
SI1029X-T1-E3 Datatabell
SI1029X-T1-E3 Foton
SI1029X-T1-E3 Pris
SI1029X-T1-E3 Erbjudande
SI1029X-T1-E3 Lägsta pris
SI1029X-T1-E3 Sök
SI1029X-T1-E3 Köp av
SI1029X-T1-E3 Chip