SI1021R-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 190MA SC-75A
Artikelnummer
SI1021R-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
SC-75A
Leverantörsenhetspaket
SC-75A
Effektförlust (max)
250mW (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 15V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
23pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44935 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI1021R-T1-E3
SI1021R-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI1021R-T1-E3 Försäljning
SI1021R-T1-E3 Leverantör
SI1021R-T1-E3 Distributör
SI1021R-T1-E3 Datatabell
SI1021R-T1-E3 Foton
SI1021R-T1-E3 Pris
SI1021R-T1-E3 Erbjudande
SI1021R-T1-E3 Lägsta pris
SI1021R-T1-E3 Sök
SI1021R-T1-E3 Köp av
SI1021R-T1-E3 Chip