IRLU110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
Artikelnummer
IRLU110PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
TO-251AA
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12894 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLU110PBF
IRLU110PBF Elektroniska komponenter
IRLU110PBF Försäljning
IRLU110PBF Leverantör
IRLU110PBF Distributör
IRLU110PBF Datatabell
IRLU110PBF Foton
IRLU110PBF Pris
IRLU110PBF Erbjudande
IRLU110PBF Lägsta pris
IRLU110PBF Sök
IRLU110PBF Köp av
IRLU110PBF Chip