IRLU014N
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
Artikelnummer
IRLU014N
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Leverantörsenhetspaket
I-PAK
Effektförlust (max)
28W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
265pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17569 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLU014N
IRLU014N Elektroniska komponenter
IRLU014N Försäljning
IRLU014N Leverantör
IRLU014N Distributör
IRLU014N Datatabell
IRLU014N Foton
IRLU014N Pris
IRLU014N Erbjudande
IRLU014N Lägsta pris
IRLU014N Sök
IRLU014N Köp av
IRLU014N Chip