IRLR120PBF
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
Artikelnummer
IRLR120PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 4.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37148 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR120PBF
IRLR120PBF Elektroniska komponenter
IRLR120PBF Försäljning
IRLR120PBF Leverantör
IRLR120PBF Distributör
IRLR120PBF Datatabell
IRLR120PBF Foton
IRLR120PBF Pris
IRLR120PBF Erbjudande
IRLR120PBF Lägsta pris
IRLR120PBF Sök
IRLR120PBF Köp av
IRLR120PBF Chip