IRLR014NPBF
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Artikelnummer
IRLR014NPBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
28W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.9nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
265pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24764 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR014NPBF
IRLR014NPBF Elektroniska komponenter
IRLR014NPBF Försäljning
IRLR014NPBF Leverantör
IRLR014NPBF Distributör
IRLR014NPBF Datatabell
IRLR014NPBF Foton
IRLR014NPBF Pris
IRLR014NPBF Erbjudande
IRLR014NPBF Lägsta pris
IRLR014NPBF Sök
IRLR014NPBF Köp av
IRLR014NPBF Chip