IRLR110PBF
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Artikelnummer
IRLR110PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43346 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR110PBF
IRLR110PBF Elektroniska komponenter
IRLR110PBF Försäljning
IRLR110PBF Leverantör
IRLR110PBF Distributör
IRLR110PBF Datatabell
IRLR110PBF Foton
IRLR110PBF Pris
IRLR110PBF Erbjudande
IRLR110PBF Lägsta pris
IRLR110PBF Sök
IRLR110PBF Köp av
IRLR110PBF Chip