IRLR110
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
Artikelnummer
IRLR110
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
D-Pak
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 2.6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14152 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLR110
IRLR110 Elektroniska komponenter
IRLR110 Försäljning
IRLR110 Leverantör
IRLR110 Distributör
IRLR110 Datatabell
IRLR110 Foton
IRLR110 Pris
IRLR110 Erbjudande
IRLR110 Lägsta pris
IRLR110 Sök
IRLR110 Köp av
IRLR110 Chip