IRLI640G
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220FP
Artikelnummer
IRLI640G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
40W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5.9A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
66nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37862 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLI640G
IRLI640G Elektroniska komponenter
IRLI640G Försäljning
IRLI640G Leverantör
IRLI640G Distributör
IRLI640G Datatabell
IRLI640G Foton
IRLI640G Pris
IRLI640G Erbjudande
IRLI640G Lägsta pris
IRLI640G Sök
IRLI640G Köp av
IRLI640G Chip