IRLI2910PBF
MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP
Artikelnummer
IRLI2910PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB Full-Pak
Effektförlust (max)
63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52187 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLI2910PBF
IRLI2910PBF Elektroniska komponenter
IRLI2910PBF Försäljning
IRLI2910PBF Leverantör
IRLI2910PBF Distributör
IRLI2910PBF Datatabell
IRLI2910PBF Foton
IRLI2910PBF Pris
IRLI2910PBF Erbjudande
IRLI2910PBF Lägsta pris
IRLI2910PBF Sök
IRLI2910PBF Köp av
IRLI2910PBF Chip