IRLI620G
MOSFET N-CH 200V 4A TO220FP
Artikelnummer
IRLI620G
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Leverantörsenhetspaket
TO-220-3
Effektförlust (max)
30W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
800 mOhm @ 2.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
360pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52623 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRLI620G
IRLI620G Elektroniska komponenter
IRLI620G Försäljning
IRLI620G Leverantör
IRLI620G Distributör
IRLI620G Datatabell
IRLI620G Foton
IRLI620G Pris
IRLI620G Erbjudande
IRLI620G Lägsta pris
IRLI620G Sök
IRLI620G Köp av
IRLI620G Chip