IRL510STRR
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Artikelnummer
IRL510STRR
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D2PAK
Effektförlust (max)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 20420 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL510STRR
IRL510STRR Elektroniska komponenter
IRL510STRR Försäljning
IRL510STRR Leverantör
IRL510STRR Distributör
IRL510STRR Datatabell
IRL510STRR Foton
IRL510STRR Pris
IRL510STRR Erbjudande
IRL510STRR Lägsta pris
IRL510STRR Sök
IRL510STRR Köp av
IRL510STRR Chip