IRL510PBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
Artikelnummer
IRL510PBF
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.1nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 5V
Vgs (max)
±10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44728 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IRL510PBF
IRL510PBF Elektroniska komponenter
IRL510PBF Försäljning
IRL510PBF Leverantör
IRL510PBF Distributör
IRL510PBF Datatabell
IRL510PBF Foton
IRL510PBF Pris
IRL510PBF Erbjudande
IRL510PBF Lägsta pris
IRL510PBF Sök
IRL510PBF Köp av
IRL510PBF Chip